适用于先进光刻制程，降低驻波效应的涂层材料
Anti-Reflective Coating，简称ARC，指涂布在光刻胶底部或顶部等的涂层，由高分子树脂、热致产酸剂、交联剂、功能性添加剂、溶剂等组成，系各类抗反射涂层总称，可包括Si-ARC、BARC、TARC等。
TARC通常旋涂覆盖于光刻胶表层，用于抑制光刻胶与空气界面产生的表面反射。
Top Anti-Reflective Coating，简称TARC，涂布在光刻胶顶部的抗反射涂层。
主要应用于45nm以下的技术节点，与低温旋涂碳材料以及光刻胶配合使用。
Silicon containing Anti-Reflective Coating，简称Si-ARC，三层光刻工艺涉及光刻材料之一。
BARC涂覆于光刻胶底部，用于抑制衬底向上的反射光线，消除驻波效应，提升图形成像质量。
Bottom Anti-Reflective Coating，简称BARC，涂布在光刻胶底部的抗反射涂层，按应用波长通常分为i-Line BARC、KrF BARC和ArF BARC。按功能可以分为，抗反射BARC、高刻蚀率BARC、平坦化BARC、填充型BARC等。
适用于先进光刻多层膜工艺、充当硬质掩膜层的旋涂碳涂层材料
Spin on Carbon，简称SOC，高碳含量的交联芳香结构聚合物，一般由聚酰胺酸树脂、交联剂和溶剂等混配而成，系一种有机涂层。
应用于先进 NAND、DRAM 存储及先进逻辑芯片制造，需要高分辨率、多重曝光技术图形化需求的关键层，充当底层填充层及硬掩膜功能。
具有良好沟槽、孔洞填充能力和高蚀刻选择比，最小可填隙尺寸能力达20nm以下。碳含量覆盖80%至90%；高温可应用于400℃。
主要应用于45nm 及以下技术节点逻辑芯片光刻工艺。
具有良好沟槽、孔洞填充能力和高蚀刻选择比，最小可填隙尺寸能力达20nm以下。碳含量覆盖70%至85%；高温可应用于400℃。
适用于波长193nm氟化氩（ArF）曝光光源的光刻胶
应用氟化氩曝光光源波长为193nm的光刻胶，又称为氟化氩光刻胶，可进一步分为ArF干式光刻胶和ArF浸没式光刻胶，干法工艺的折射介质是空气；湿法工艺的折射介质是水，均主要应用于集成电路领域。
可应用于45nm及以下的先进技术节点。
ArF浸没式光刻胶通过浸没式光刻技术、邻近效应校正等分辨率增强技术，可结合多重曝光技术。
可应用于90nm至45nm技术节点。
匹配193nm曝光波长，并在空气或氮气环境下曝光的深紫外光刻胶，适用于90nm至45nm工艺节点。
适用于波长248nm氟化氪（KrF）曝光光源的光刻胶
满足厚度从数微米到0.2μm的应用需求。其中，高分辨率KrF光刻胶极限分辨率可达到120nm，1:1线条图形，在曝光宽容度为10%的情况下焦深大于0.3μm。
匹配365nm曝光波长的紫外光刻胶
曝光波长为365nm，应用化学增幅技术可以大幅提高光刻胶敏感度，并保持较高的分辨率（<0.30um）。
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