应用于存储、逻辑芯片的CVD和ALD沉积成膜技术中
高介电常数前驱体（High-k）主要用于45nm及以下半导体制造工艺流程，应用于存储、逻辑芯片的CVD和ALD沉积成膜技术中，形成集成电路中的电容介质或栅极电介质，解决器件微缩及漏电问题，可减少漏电至传统工艺的10倍左右，大幅提升良率。
凭借高反应活性、低杂质特性及优异的薄膜质量，成为逻辑芯片和DRAM器件先进制程的关键材料，应用于原子层沉积（ALD）或化学气相沉积（CVD），用于生成金属氧化物薄膜。
一种制备具有高介电常数薄膜的金属前驱体。
凭借高反应活性、低杂质特性及优异的薄膜质量，成为逻辑芯片和DRAM器件先进制程的关键材料，应用于原子层沉积（ALD）或化学气相沉积（CVD），用于生成金属氧化物薄膜。
一种制备具有高介电常数薄膜的金属前驱体。
用于芯片制造先进制程节点（28nm及以下），主要集中在高介电常数(High-K)栅极的HfO₂沉积。
四氯化铪，一种制备具有高介电常数薄膜的金属前驱体。
主要用于集成电路制造中的薄膜沉积工艺
主要用于集成电路制造中的薄膜沉积工艺（如化学气相沉积CVD、原子层沉积ALD），形成金属栅极氧化层或铜互连结构，是先进制程（如FinFET）的关键材料。
应用于原子层沉积（ALD）工艺，制备氮化铝、氧化铝薄膜，是半导体器件钝化层、介质层的关键前驱体材料。
三甲基铝，化学式为C₃H₉Al，一种金属基前驱体材料。
主要用于原子层沉积（ALD）工艺，通过与水或氧等离子体交替脉冲，通过表面自限制反应沉积高纯氧化铝薄膜。
三氯化铝，一种制备铝化合物薄膜的金属前驱体材料。
主要用于硅基半导体材料的生长和掺杂
以硅为主要成分的前驱体，主要用于硅基半导体材料的生长和掺杂。
用于集成电路 CVD 沉积二氧化硅薄膜，应用于隔离层、层间介质、钝化膜等制程。
正硅酸乙酯（TEOS），二氧化硅薄膜核心硅源前驱体。
适用于 ALD/CVD 低温氧化硅沉积，满足高深宽比结构薄膜间隙填充需求。
双 (二乙氨基) 硅烷（BDEAS），氨基硅基低温前驱体。
低压低温 CVD 工艺沉积高品质氧化硅、氮化硅薄膜，先进制程替代硅烷、二氯甲硅烷关键硅源。
六氯乙硅烷（HCDS），高活性氯硅烷前驱体，面向 DRAM、3D NAND 介质薄膜。
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